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“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”取得关键突破

2021-12-09 16:141870

　　近日，省重大专项“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目完成预期指标，取得阶段性进展和关键技术突破。

　　项目团队按照计划开展各项研发工作，系统研究了氮化铝模板材料的制备工艺，提出了高效P型掺杂新方法，突破了极化诱导掺杂、溅射退火氮化铝模板和基于芯片微纳结构的高效光提取等关键技术，深紫外LED芯片的出光效率大幅提升，实现了深紫外LED芯片、灯珠及应用产品批量化生产和销售。项目组开发的高效芯片已广泛应用于长治市高铁站、机场等示范工程，取得了良好的经济和社会效益。项目组将以省科技重大专项的前期研究突破为基础，进一步研发高光效深紫外LED器件，继续突破关键共性技术，持续提升核心产品竞争力，推动深紫外LED应用产品走向千家万户。

　　责任编辑：许宁

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